成果信息

南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法，可合成单晶氧化铋纳米片，延()晶面有生长优势，厚度约40-70 nm，形貌单一、尺寸分布范围窄，带隙明显蓝移至2.92 eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料，过程中无杂质的引入，且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布，进而提高功能材料的性能。)

背景介绍

纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应，以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano效应、Kondo效应等，使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。)

应用前景

氧化铋单晶纳米片具有十分广阔的应用前景，是铋的氧化物半导体功能材料制备的重要原材料，制备过程无杂质的引入，纳米尺寸利于铋元素在功能材料中的均匀分布，降低烧结温度，提高功能材料的性能。在微电子陶瓷、气敏传感器、数字存储、医药制药和超导材料等领域有广阔的市场应用。)