成果信息

制得的器件开路电压为630 mV，短路电流为32.7 mA/cm2，填充因子为71.7 %，光电转换效率达到14.8 %（面积为41.848 mm2）。该效率由中国计量科学研究院第三方测量获得（证书编号：GXtc2015-0095）。该技术采用电沉积工艺，具有低成本、高转换效率、易于规模化生产等优势。 )

背景介绍

本技术针对现有铜铟镓硒薄膜太阳电池真空法制备存在的设备投资大、产能低、难以连续成产、成本高昂等问题，采用基于电沉积合金预制层后硒化的工艺路线制备铜铟镓硒薄膜光吸收层，并采用硫化氢气氛快速热处理工艺对其进行表面硫化形成梯度带隙。同时结合实验室开发的直流溅射Mo、化学水浴沉积CdS、射频溅射沉积本征ZnO和直流溅射沉积铝掺杂ZnO和栅线蒸镀等技术，实现高效率铜铟镓硒薄膜太阳电池的制作。)

应用前景

本技术采用基于电沉积的工艺路线制备铜铟镓硒薄膜太阳电池，处于国际先进水平，具有良好的推广应用前景。)