成果信息

GaN衬底作为第三代半导体产业发展的基石，是新型照明光源、激光光源、全彩色光源、高温高频高功率微波器件等产业发展的关键支撑技术。本项目研发的目的就是为了打破发达国家的技术封锁和垄断，形成具有自主知识产权的制备GaN衬底晶片的设备，并在此设备上制备出高质量GaN衬底。)

背景介绍

半导体技术的不断发展，推动着半导体材料广泛的应用。半导体材料中，GaN具有的禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、和良好的化学稳定性等优越性质，使它成为迄今理论上电光转换效率最高的材料体系。由于缺少GaN体单晶材料，GaN基材料的外延只能在异质衬底上进行。GaN基材料的晶体质量、缓冲层的选择和设计等都十分依赖衬底的特性。因此研究自支撑GaN衬底，实现GaN同质外延是一个比较迫切且有意义的工作。)

应用前景

开发的GaN同质衬底制造设备，一方面给予下游生产、制造高性能半导体器件的企业以有力的支撑，进而带动整个半导体产业的发展；另一方面突破国外在GaN同质衬底上的垄断，更可以在国际竞争中获得话语权，参与国际行业标准的制定，为今后我国GaN半导体技术和产业在国际竞争中占领有利的战略地位，此项目市场前景广阔，并具有很好的社会意义。)