成果信息

本项目处于国际领先水平，主要创新点：(1) 采用熔融纺膜与先驱体转化法相结合制备出了新型的功能性连续SiC自由薄膜（厚度8~100微米，宽度20毫米，连续长度＞100米）；(2) 从原料的合成阶段引入异质元素改性，制备出了耐超高温、低电阻率及高频发光特性的连续SiC(Al)自由薄膜及适合太阳能电池窗口材料的P型光伏薄膜。其主要特色有：自由薄膜制备具有成本低、工艺简单、可工程化及结构功能一体化等特点，所制备的产品具有厚度与成分可控、高频宽谱带蓝光、紫外光发射、强抗辐射能力、耐磨损、耐高温及化学稳定性好等优良特性。此外，利用连续SiC自由薄膜独特的性质可在其表面形成一层连续的SiO2氧化层，这对各种制作以MOS为基础的器件非常有利。 )

背景介绍

当电子—声学声子耦合常数不变时，得到声学极化子的基态能量随自由薄膜厚度的增大而减小,自由薄膜厚度一定时，自由薄膜中声学极化子基态能量随电子—声学声子耦合常数的增大在减小。自由薄膜中的声学极化子的自陷判别标准的近似值比一维声学极化子的自陷判别标准大，但是比三维声子极化子自陷标准小；所以，在自由薄膜中声学极化子的自陷难度介于二维情况与三维情况之间。 )

应用前景

连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料，在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性，其应用前景十分广阔。)